第 06 章統測專一常見陷阱
場效電晶體（MOSFET）先判截止/線性/飽和，再套 Id 方程式
最後更新：2026-02-14 ｜ 閱讀時間：約 7 分鐘
MOSFET 直流題最常被搞混的是「飽和」：MOS 的飽和是主動區（電流對 Vds 不敏感），不是 BJT 那種飽和。
學長口訣：先看 Vgs>Vt（有沒有開），再看 Vds≥Vov（有沒有進飽和），最後才套 Id。流程對了，這章就會很穩。
🎯 本章拿分重點（高頻考點）
- D-MOS vs E-MOS：Vt/VP 的意義、Vgs=0 時是否導通
- 工作區判斷：截止、線性（歐姆區）、飽和（主動區）條件
- 平方律 Id：題目給 K / Idss / Vp 時要能直接帶
- 偏壓方式：固定/分壓/源極電阻回授（穩定化）
- 圖形題：傳輸特性或負載線找 Q 點（多考判讀）
🧠 觀念釐清（最常失分的點）
- MOS 飽和 ≠ BJT 飽和：MOS 飽和是「主動區」，觀念題很愛考。
- 判飽和要用 Vov=Vgs−Vt：條件是 Vds≥Vov，不是只看 Vgs 大小。
- 題目若提通道長度調變（λ），才需要考慮 Id 隨 Vds 略增；沒說通常可忽略。
- D-MOS 有些在 Vgs=0 仍導通：看到 Idss/VP 就要想到它不是 E-MOS。
✅ 考場 4 步驟（解題 checklist）
- 先判器件：n/p、D/E（看題目給的 Vt/VP/Idss/K）
- 先判工作區：Vgs>Vt？Vds≥Vov？（先判再算）
- 套 Id + KVL/KCL 解出 Id、Vgs、Vds
- 回頭驗證條件，不成立就換工作區重算
本章必背公式速查
汲極電流（D-MOSFET，飽和區）
I_D = I_DSS·(1 - V_GS/V_P)^2
空乏型常用：I_DSS 與 V_P（夾止電壓）是題目關鍵。
汲極電流（E-MOSFET，飽和區）
I_D = K·(V_GS - V_t)^2
增強型：先判斷 V_GS 是否大於閾值 V_t。
飽和（夾止）條件（N 通道）
V_GS > V_t V_DS ≥ V_GS - V_t
先判斷工作區（截止/線性/飽和），再套方程式。
直流偏壓（分類）
固定偏壓 自給偏壓（僅 D-MOS） 分壓式偏壓
題目通常先做 DC 求 Q 點，再做小信號。
FAQ：常見問題
這章公式要全部背嗎？還是只背重點就好？
建議先背「高頻考點」裡列出的核心公式，用刷題加深記憶。考古題出現頻率低的公式可以考前再快速瀏覽。
觀念理解了但計算常粗心，怎麼改善？
最常見的粗心來源：單位換算（mA/kΩ）、正負號方向、公式套錯情境。建議每題寫完回頭檢查這三點，連續練 15-20 題就會明顯進步。