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第 04 章統測專一常見陷阱

BJT 放大電路β + rπ/re + CE/CC/CB 一眼判相位與阻抗

最後更新:2026-02-14 | 閱讀時間:約 8 分鐘

這章最容易卡的是「直接套公式」:你沒先做 DC Q 點,r_e / r_π 就會錯;你沒先看組態,正負號(相位)就會錯。

學長口訣:DC 先求 Q 點(I_E/I_C)→ AC 才有 r_e、r_π;CE 反相、CC 跟隨、CB 同相。先把這三句記住,再算 Rin/Rout/Av 才會穩。

🎯 本章拿分重點(高頻考點)

  • 小信號參數:β、r_e、rπ(由 Q 點電流推,先 DC 後 AC)
  • CE/CC/CB:增益大小、相位(正負號)、阻抗特性
  • Rin/Rout:看進去/看出去的等效(考場最常考)
  • 耦合/旁路電容:中頻近似短路的判斷(題目若要考頻率例外)
  • 負載效應:RL 會吃增益,尤其多級題常一起考

🧠 觀念釐清(最常失分的點)

  • 如果你不想用 gm:用 r_e ≈ V_T/I_E、rπ ≈ (1+β)·r_e,就能用 β 直接推 Av/Rin。
  • 相位口訣:CE 反相(負號);CC 同相(Av≈1);CB 同相。
  • 只要 DC 不在主動區,小信號模型就不能用(先把 Q 點救回來)。

✅ 考場 4 步驟(解題 checklist)

  1. 先做 DC:求 Q 點(尤其 I_E/I_C)→ 算 r_e、rπ(再用 β 串起來)
  2. 畫中頻小信號等效:電源接地、電容依題意短/開
  3. 先判組態再算 Av、Rin、Rout(順便標記相位)
  4. 加入負載/源阻抗後再算一次,最後檢查符號與量級

本章必背公式速查

小信號參數(V_T≈25mV)

r_e = V_T/I_EQ r_π ≈ (1+β)·r_e I_C ≈ β·I_B I_E ≈ (1+β)·I_B

關鍵:先做 DC 求 Q 點(I_E/I_C)→ 才能得到 r_e、r_π β 用來把「基極電流」放大成「集極電流」。

共射極(CE,忽略 r_o)

Z_i ≈ r_π A_v ≈ -β·(R_C // R_L)/r_π(反相)

CE:同時有電壓/電流放大 最常考增益符號(負號)。

共集極(CC,忽略 r_o)

Z_i ≈ R_B // [r_π + (1+β)R_E] A_v ≈ 1(同相)

CC:高 Z_i、低 Z_o(射極隨耦器)。

共基極(CB,忽略 r_o)

Z_i ≈ r_e A_v ≈ (R_C // R_L)/r_e(同相)

CB:高頻響應佳 輸入阻抗低。

FAQ:常見問題

這章公式要全部背嗎?還是只背重點就好?

建議先背「高頻考點」裡列出的核心公式,用刷題加深記憶。考古題出現頻率低的公式可以考前再快速瀏覽。

觀念理解了但計算常粗心,怎麼改善?

最常見的粗心來源:單位換算(mA/kΩ)、正負號方向、公式套錯情境。建議每題寫完回頭檢查這三點,連續練 15-20 題就會明顯進步。

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本文為 ElectronEdu 團隊撰寫之教學草稿,後續可依行銷與教學審稿意見調整。