第 03 章統測專一常見陷阱
雙極性接面電晶體（BJT）偏壓 Q 點 + α/β 快換 + 主動/飽和判別
最後更新：2026-02-14 ｜ 閱讀時間：約 7 分鐘
BJT 直流題其實很固定：題目再怎麼花，最後都是要你求 Q 點（Ic、Vce）並判斷有沒有進飽和/截止。
學長口訣：先假設主動區 → 算出 Ic、Vce → 再驗證條件。只要記得「飽和後 Ic ≠ βIb」，你就不會被陷阱題拖走。
🎯 本章拿分重點（高頻考點）
- α/β/γ 快速換算：題目給其中一個要能秒換
- 工作區判斷：截止/主動/飽和（條件與常用近似）
- 偏壓題型：固定偏壓、分壓偏壓、射極電阻回授穩定化
- Q 點概念：先 DC，後續放大/小信號才有意義
- 定性題：β/溫度變動時，哪種偏壓比較穩（回授思維）
🧠 觀念釐清（最常失分的點）
- β 不是常數：題目沒說精確值時，重點通常在流程與工作區判斷。
- 飽和後別再用 Ic=βIb：改用 Vce(sat)（約 0.2V）近似。
- 截止的意思是「結沒導通」：Ib≈0、Ic≈0，但端電壓不一定都 0。
- 陷阱口訣：α = β/(1+β)，β = α/(1−α)，看到就先換成你熟的那個。
✅ 考場 4 步驟（解題 checklist）
- 先假設主動區列式（Vbe≈0.7、Ic=βIb）求 Ic、Vce
- 驗證條件：Vce 是否接近 Vce(sat)？算出的 Ib 是否合理？
- 不成立就換模型（飽和/截止）重算
- 最後用 Q 點做合理性檢查（電壓/電流有沒有超出電源範圍）
本章必背公式速查
電流關係與 α/β/γ
I_E = I_C + I_B α = I_C/I_E β = I_C/I_B γ = I_E/I_B = 1+β α = β/(1+β) β = α/(1-α)
常考：α、β 互換 題目給其中一個要能快速換算。
固定偏壓（求 I_B）
I_B = (V_CC - V_BE)/R_B
流程：先求 I_B → I_C=βI_B → V_CE 判斷是否進飽和。
分壓式偏壓（精確分析）
E_th = V_CC·R_2/(R_1+R_2) R_th = R_1 // R_2 I_B = (E_th - V_BE)/[R_th + (1+β)R_E]
要點：R_E 會放大回授，分母一定要有 (1+β)R_E。
工作區域判別（NPN）
主動區：V_BE > 0.7V 且 V_CE > 0.2V 飽和區：V_BE > 0.7V 且 V_CE ≈ 0.2V
先算 V_CE 再判斷 V_CE 很小通常表示進飽和。
FAQ：常見問題
這章公式要全部背嗎？還是只背重點就好？
建議先背「高頻考點」裡列出的核心公式，用刷題加深記憶。考古題出現頻率低的公式可以考前再快速瀏覽。
觀念理解了但計算常粗心，怎麼改善？
最常見的粗心來源：單位換算（mA/kΩ）、正負號方向、公式套錯情境。建議每題寫完回頭檢查這三點，連續練 15-20 題就會明顯進步。